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BD645 国产替代NPN Silicon Power Darlington Transistor

NPN Silicon Power Darlington Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：60V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：8A（连续），峰值 12A
基极电流（I_B）：0.3A（连续）
耗散功率（P_tot）：62.5W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=3A
直流电流增益（h_FE）：750（Min）@ I_C=3A
与 BD646（PNP）互补配对，专为音频推挽输出设计
封装：TO-220

BD645 是一款 60V / 8A / 62.5W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-220 封装，高直流电流增益、低饱和压降，与 BD646（PNP）互补，适用于音频推挽输出、通用放大与模拟开关。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220	Single-N	80	60	5	8	62.5	2.0	750 min	Silicon NPN 达林顿

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	12	A
I_B	基极电流（连续）	0.3	A
P_tot	耗散功率 @ T_C=25℃	62.5	W
T_j	结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	2.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	60	--	V
h_FE	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=3V	750	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A	--	2.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=3A	--	2.5	V

应用

音频功率放大互补推挽输出级，与 BD646 配对。
通用放大一般放大器与模拟开关应用。
电源调整串联稳压与线性调整电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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