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BD544 国产替代PNP Silicon Power Transistor

PNP Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-40V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-40V
集电极电流（I_C）：-8A（峰值 -10A）
集电极耗散功率（P_tot）：70W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-3A
与 BD543 系列互补
封装：TO-220

BD544 是一款 PNP 硅功率三极管，具有 8A 大电流承载能力与低饱和压降，与 BD543 系列互补，适用于音频功率放大器等大电流功率开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	40	40	5	8	0.5	60	—	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-40	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-40	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-10	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C=25℃	70	W
T_A	工作环境温度	-65 ~ 150	℃
T_J	工作结温	-65 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.79	℃/W

电气特性（T_C=25℃）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-30mA；I_B=0	-40	--	V
I_CES	集电极-发射极截止电流	V_CE=-40V；V_BE=0	--	-0.4	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-30V；I_B=0	--	-0.7	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1	mA
h_FE-1	正向电流传输比	V_CE=-4V；I_C=-1A	60	--	--
h_FE-2	正向电流传输比	V_CE=-4V；I_C=-3A	40	--	--
h_FE-3	正向电流传输比	V_CE=-4V；I_C=-5A	15	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.3A	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-5A；V_CE=-4V	--	-1.4	V

应用

音频功率放大器音频功率放大器（High power audio amplifier）应用。
大电流功率开关大电流功率开关与线性放大应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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