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BD441 国产替代NPN Silicon Power Transistor

NPN Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_CEO）：80V，V_CBO 80V
集电极电流（I_C）：4A，峰值 7A
集电极耗散功率（P_TOT）：36W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ 0.8V @ I_C=2A，I_B=0.2A
高增益：h_FE 40~140 @ I_C=500mA，V_CE=1V
SOT-32（TO-126）封装，PNP 互补型号 BD442

NPN 外延平面型硅功率晶体管，采用基极岛（base island）结构，兼具高增益与低饱和压降，适用于线性放大与开关场合。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
SOT-32 (TO-126)	NPN	80	80	4	36	15~140	0.8

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CES	集电极-发射极电压（V_BE=0）	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	7	A
I_B	基极电流（连续）	1	A
P_TOT	总耗散功率 T_C=25℃	36	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-65~150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_E=0	--	0.1	mA
I_CES	集电极截止电流	V_CE=80V；V_BE=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1	mA
V_CEO(sus)	集电极-发射极维持电压	I_C=100mA；I_B=0	80	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=2A；I_B=0.2A	--	0.8	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=2A；V_CE=1V	--	1.5	V
h_FE-1	直流电流增益	I_C=10mA；V_CE=5V	15	130	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=500mA；V_CE=1V	40	140	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=1V	15	--	--

应用

线性放大音频与仪器用线性放大器输出级，高增益与低饱和压降有利于降低失真。
开关电路继电器、电磁阀与灯负载的通断驱动，4A 电流能力与 36W 耗散适配中等功率负载。
电源调整串联稳压与线性调整电路中的调整管。
工业设备线性与开关型工业设备中的通用功率级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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