当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

BD317 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

TO-3 金属封装，集电极与外壳相连
集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：100V
集电极电流（I_C）：16A（峰值 20A）
集电极耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
安全工作区（SOA）宽，h_FE≥25 @ I_C=5A
饱和压降 V_CE(sat)≤1.0V @ I_C=8A
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.875℃/W，与 BD318 互补

BD317 是一款硅 NPN 功率三极管，采用 TO-3 金属封装，具有 100V/16A 的电压电流能力与 200W 耗散功率，安全工作区宽、饱和压降低，适用于 100W 以内的 8Ω 负载高品质音频功率放大等应用，与 BD318（PNP）构成互补对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-N	100	100	7	16	1.0	15	--	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	100	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	16	A
I_CM	集电极电流（峰值）	20	A
I_B	基极电流（连续）	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_j	最高结温	200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.875	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=0.2A；I_B=0	100	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.8A	--	1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.8A	--	1.8	V
V_BE(on)	基极-发射极导通压降	I_C=8A；V_CE=2V	--	1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	25	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=4V	15	--	--
f_T	特征频率（典型值）	I_C=1A；V_CE=20V；f=0.5MHz	1.0	--	MHz

应用

音频功率放大高品质音频功率放大（High quality audio amplifiers up to 100W into 8Ω）应用。
线性稳压线性稳压与串联调整（Linear regulation）应用。
通用功率开关通用功率开关（General power switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号