N-Channel MOSFET Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
APT8014L2FLL 是一款 N 沟道高压功率 MOSFET，具有 800V 耐压与低导通电阻，经 100% 雪崩测试，适用于电机驱动、DC-DC 转换器与功率开关等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | IDM (A) | RDS(on) (mΩ) | VGS(th) (V) | PD (W) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-264 | Single-N | 800 | ±30 | 52 | 208 | 140 | 3.0~5.0 | 890 | Silicon N-Ch |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压 | 800 | V |
| VGS | 栅-源电压（连续） | ±30 | V |
| ID | 漏极电流（连续） | 52 | A |
| IDM | 漏极电流（单脉冲） | 208 | A |
| PD | 总耗散功率 @ TC=25℃ | 890 | W |
| TJ | 最高工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 0.14 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0；ID=0.25mA | 800 | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=5mA | 3.0 | 5.0 | V |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=10V；ID=26A | -- | 0.14 | Ω |
| IGSS | 栅-体漏电流 | VGS=±30V；VDS=0 | -- | ±100 | nA |
| IDSS | 零栅压漏电流 | VDS=800V；VGS=0 | -- | 250 | µA |
| VSD | 正向导通电压 | IS=52A；VGS=0 | -- | 1.3 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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