1200V Power MOS 7 IGBT | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com
APT75GP120J 是一款 1200V / 128A 的 POWER MOS 7 穿通型(PT)IGBT 单管模块,采用 SOT-227(ISOTOP)封装,具有低导通损耗、低栅极电荷与超快拖尾电流关断特性,内置方形 RBSOA 与 2500V 绝缘底板,适用于高频高压开关电源、逆变焊机、光伏与 UPS 等大功率变换场合。
| Package | Type | VCES (V) | IC (A) | PD (W) | VCE(on) (V) | VGE(th) (V) | Tj (℃) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SOT-227 (ISOTOP) | IGBT (PT) | 1200 | 128 | 543 | 2.9 / 3.9 | 3.0~6.0 | -55~150 | Silicon IGBT |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCES | 集电极-发射极电压 | 1200 | V |
| VGE | 栅极-发射极电压(连续) | ±20 | V |
| VGEM | 栅极-发射极电压(瞬态) | ±30 | V |
| IC1 | 连续集电极电流 @ TC=25℃ | 128 | A |
| IC2 | 连续集电极电流 @ TC=110℃ | 57 | A |
| ICM | 脉冲集电极电流 | 300 | A |
| RBSOA | 反向偏置安全工作区(Tj=150℃) | 300A @ 960V | A |
| PD | 总耗散功率 @ TC=25℃ | 543 | W |
| TJ, TSTG | 工作与存储结温范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| TL | 引脚焊接温度(距壳体 1.6mm,10s) | 300 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻(IGBT) | 0.23 | ℃/W |
| VISO | 隔离耐压(RMS) | 2500 | V |
| W | 重量 | 29.2 | g |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CES | 集电极-发射极击穿电压 | VGE=0V;IC=1.0mA | 1200 | -- | V |
| VGE(th) | 栅极阈值电压 | VCE=VGE;IC=2.5mA | 3.0 | 6.0 | V |
| VCE(on) | 集电极-发射极导通压降(典型 / 最大) | VGE=15V;IC=75A;Tj=25℃ | 2.9 | 3.9 | V |
| ICES | 集电极截止电流 | VCE=1200V;VGE=0V;Tj=25℃ | -- | 1.0 | mA |
| ICES | 集电极截止电流 | VCE=1200V;VGE=0V;Tj=125℃ | -- | 5.0 | mA |
| IGES | 栅极-发射极漏电流 | VGE=±20V | -- | ±100 | nA |
| Cies | 输入电容 | VGE=0V;VCE=25V;f=1MHz | -- | 7.0 | nF |
| Qg | 总栅极电荷 | VGE=15V;VCE=600V;IC=75A | -- | 320 | nC |
注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。
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