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APT75GP120J 国产替代1200V Power MOS 7 IGBT

1200V Power MOS 7 IGBT | 品牌:ISC(无锡固电半导体股份有限公司)| www.iscsemi.com

描述 参数 应用 技术支持

描述

产品简介

APT75GP120J 是一款 1200V / 128A 的 POWER MOS 7 穿通型(PT)IGBT 单管模块,采用 SOT-227(ISOTOP)封装,具有低导通损耗、低栅极电荷与超快拖尾电流关断特性,内置方形 RBSOA 与 2500V 绝缘底板,适用于高频高压开关电源、逆变焊机、光伏与 UPS 等大功率变换场合。

参数

核心参数表

PackageTypeVCES (V)IC (A)PD (W)VCE(on) (V)VGE(th) (V)Tj (℃)Structure
SOT-227 (ISOTOP)IGBT (PT)12001285432.9 / 3.93.0~6.0-55~150Silicon IGBT

绝对最大额定值(TC=25℃,另有说明除外)

符号参数数值单位
VCES集电极-发射极电压1200V
VGE栅极-发射极电压(连续)±20V
VGEM栅极-发射极电压(瞬态)±30V
IC1连续集电极电流 @ TC=25℃128A
IC2连续集电极电流 @ TC=110℃57A
ICM脉冲集电极电流300A
RBSOA反向偏置安全工作区(Tj=150℃)300A @ 960VA
PD总耗散功率 @ TC=25℃543W
TJ, TSTG工作与存储结温范围-55 ~ 150℃
TL引脚焊接温度(距壳体 1.6mm,10s)300℃

热特性

符号参数数值单位
Rth j-c结-壳热阻(IGBT)0.23℃/W
VISO隔离耐压(RMS)2500V
W重量29.2g

电气特性(TC=25℃,另有说明除外)

符号参数测试条件最小最大单位
V(BR)CES集电极-发射极击穿电压VGE=0V;IC=1.0mA1200--V
VGE(th)栅极阈值电压VCE=VGE;IC=2.5mA3.06.0V
VCE(on)集电极-发射极导通压降(典型 / 最大)VGE=15V;IC=75A;Tj=25℃2.93.9V
ICES集电极截止电流VCE=1200V;VGE=0V;Tj=25℃--1.0mA
ICES集电极截止电流VCE=1200V;VGE=0V;Tj=125℃--5.0mA
IGES栅极-发射极漏电流VGE=±20V--±100nA
Cies输入电容VGE=0V;VCE=25V;f=1MHz--7.0nF
Qg总栅极电荷VGE=15V;VCE=600V;IC=75A--320nC

应用

  1. 高频开关电源高压大功率开关电源的主开关器件。
  2. 逆变焊机焊接电源的逆变功率级。
  3. 光伏与 UPS光伏逆变器、不间断电源的功率变换级。
  4. 电机驱动工业变频器、伺服驱动的功率级。
  5. 感应加热中高频感应加热电源的谐振开关。

注:以上应用场景基于数据手册整理,具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司:无锡固电半导体股份有限公司(ISC)

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