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APT12080JVFR 国产替代Silicon N-Channel Power MOSFET (FREDFET)

Silicon N-Channel Power MOSFET (FREDFET) ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

SOT-227（ISOTOP）四端功率模块封装，全隔离，绝缘耐压 2500V
漏源电压（V_DSS）：1200V
漏极电流（I_D）：15A @ T_C=25℃（脉冲 60A）
导通电阻：R_DS(on)≤0.80Ω @ V_GS=10V，I_D=7.5A
栅源电压（V_GSS）：±30V（瞬态 ±40V）
总耗散功率（P_D）：450W @ T_C=25℃
单脉冲雪崩能量（E_AS）：2500mJ，100% 雪崩测试
快恢复体二极管（FREDFET），t_rr=350ns
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.28℃/W

APT12080JVFR 是一款 1200V/15A 的 N 沟道增强型功率 MOSFET（FREDFET），采用 SOT-227 全隔离功率模块封装，导通电阻 0.80Ω、耗散功率 450W，内置快恢复体二极管并经过 100% 雪崩测试，适用于高压开关电源、逆变器、焊机与 UPS 等应用。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
SOT-227	1200	±30	15	60	450	0.80 Ω	2.0 ~ 4.0	Silicon N-channel FREDFET

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	1200	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
V_GSM	栅源电压（瞬态）	±40	V
I_D	漏极电流（连续）	15	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	60	A
I_AR	雪崩电流（重复/非重复）	15	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	450	W
E_AS	单脉冲雪崩能量	2500	mJ
V_iso	绝缘耐压（端子对基板，1min）	2500	V
T_j / T_stg	工作与存储结温	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.28	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	40	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=250µA	1200	--	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=7.5A	--	0.80	Ω
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=2.5mA	2.0	4.0	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=1200V；V_GS=0V	--	250	µA
I_DSS	零栅压漏电流（T_C=125℃）	V_DS=960V；V_GS=0V	--	1000	µA
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_SD	体二极管正向压降	V_GS=0V；I_S=I_D	--	1.3	V
t_rr	体二极管反向恢复时间	I_S=I_D；di/dt=100A/µs	350	--	ns
C_iss	输入电容	V_DS=25V；V_GS=0V；f=1MHz	7800	--	pF
Q_g	总栅电荷	V_GS=10V；V_DD=0.5V_DSS	325	--	nC

应用

高压开关电源高压开关电源（High voltage SMPS）应用。
逆变器与焊机逆变器、电焊机（Inverter / Welder）应用。
UPS 与电机驱动UPS 与电机驱动（UPS / Motor drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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