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70HFL60S02Fast Recovery Diode

Fast Recovery Diode ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：600V
平均正向电流（I_F(AV)）：70A @ T_C=75℃
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：700A（50Hz）/ 730A（60Hz）
正向压降：V_FM=1.85V（Max）@ I_FM=70A
反向恢复时间（t_rr）：200ns（S02 档）
I²t：2240 A²s（50Hz，8.3ms）
螺栓型安装，散热效率高
封装：DO-5（DO-203AB）

70HFL60S02 是一款 600V / 70A 快速恢复整流二极管，采用 DO-5 螺栓型封装，反向恢复时间短、浪涌能力与散热性能好，适用于直流电源、逆变器、斩波器与超声波设备的整流与续流。

参数

核心参数表

Package	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_FM (V)	t_rr (ns)	R_th(j-c) (℃/W)	T_j (℃)
DO-5（DO-203AB）	600	70	730	1.85	200	0.36	-40 ~ 125

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	600	V
I_F(AV)	平均正向电流 @ T_C=75℃	70	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（50Hz / 60Hz）	700 / 730	A
I²t	熔断 I²t（8.3ms）	2240	A²s
T_j	工作结温	-40 ~ 125	℃
T_stg	存储温度范围	-40 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.36	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_FM	正向压降	I_FM=70A	--	1.85	V
I_DRM	峰值反向漏电流	V_R=V_RRM；T_j=25℃	--	100	µA
t_rr	反向恢复时间	I_F=1A；V_R=30V；-di/dt=100A/µs	--	200	ns

应用

直流电源大电流整流的直流电源输出。
逆变器与斩波器逆变、斩波电路的整流与续流。
超声波设备超声波发生器的整流回路。
工业电镀与焊接大电流整流设备。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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