42CTQ030 国产替代Schottky Rectifier

Schottky Rectifier ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

重复峰值反向电压（V_RRM）：30V
平均整流正向电流（I_F(AV)）：2×20A @ T_C=121℃（50% 占空比）
非重复峰值浪涌电流（I_FSM）：1100A（t_p=5µs 正弦）
极低正向压降：V_F=0.48V（Max）@ I_F=20A，T_J=25℃
高温低漏流：I_R≤183mA @ T_J=125℃
中心抽头（共阴）双管结构
最高结温 150℃
结-壳热阻（每只）：2.0℃/W
封装：TO-220AB（1 阳极 / 2 阴极 / 3 阳极）

42CTQ030 是一款 30V/2×20A 高性能肖特基整流二极管，采用 TO-220AB 封装与中心抽头（共阴）双管结构，具有 0.48V 的极低正向压降、1100A 的浪涌能力与 150℃ 的最高结温，适用于开关电源、变换器、续流二极管与反接电池保护等场合，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_RRM (V)	I_F(AV) (A)	I_FSM (A)	V_F (V)	I_R (mA)	T_j (℃)	Structure
TO-220AB	Common Cathode	30	20	1100	0.48	3	150	Silicon Schottky

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_RRM	重复峰值反向电压	30	V
I_F(AV)	平均整流正向电流（每只，50% 占空比 @ T_C=121℃）	20	A
I_F(AV)	平均整流正向电流（整只）	40	A
I_FSM	非重复峰值浪涌电流（t_p=5µs 正弦）	1100	A
E_AS	非重复雪崩能量（每只）	13	mJ
T_J, T_stg	工作结温与存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻（每只 / 整只）	2.0 / 1.0	℃/W

电气特性（脉冲测试；T_J=25℃ 另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_F-1	最大瞬时正向压降	I_F=20A；T_J=25℃	--	0.48	V
V_F-2	最大瞬时正向压降	I_F=40A；T_J=25℃	--	0.57	V
V_F-3	最大瞬时正向压降	I_F=20A；T_J=125℃	--	0.38	V
V_F-4	最大瞬时正向压降	I_F=40A；T_J=125℃	--	0.51	V
I_R-1	最大瞬时反向电流	V_R=V_RWM；T_J=25℃	--	3	mA
I_R-2	最大瞬时反向电流	V_R=V_RWM；T_J=125℃	--	183	mA

应用

变换器变换器（Converters）应用。
开关电源开关电源（Switching power）应用。
续流二极管续流二极管（Freewheeling diodes）应用。
反接电池保护反接电池保护（Reverse battery protection）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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