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2SK4019 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压 V_DSS：100V（Min）
漏极电流 I_D：5.0A @ T_C=25℃（脉冲 20A）
导通电阻 R_DS(on)：0.23Ω（Max）@ V_GS=10V；0.3Ω（Max）@ V_GS=4V
栅极阈值电压 V_GS(th)：0.8 ~ 2.0V，支持 4V 栅极驱动
100% 雪崩测试，批次一致性好
封装：TO-220（1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

2SK4019 是一款 100V/5A 的 N 沟道功率 MOSFET，导通电阻低、支持 4V 栅压驱动、100% 雪崩测试，适用于斩波稳压、DC-DC 转换与电机驱动等场合，为东芝（Toshiba）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (Ω)	P_D (W)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-220	100	5.0	≤0.23	20	0.8 ~ 2.0	-55 ~ 150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	100	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	5.0	A
I_DM	漏极电流（脉冲）	20	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_j	工作结温	-55 ~ 150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=10mA	100	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=1mA	0.8	2.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=2.5A	--	0.23	Ω
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=4V；I_D=2.5A	--	0.3	Ω
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±16V；V_DS=0	--	±10	µA
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=100V；V_GS=0	--	0.1	mA
V_SD	正向导通电压（体二极管）	I_S=5A；V_GS=0	--	1.7	V

应用

斩波稳压器斩波型稳压电路（Chopper regulator）。
DC-DC 转换器开关型 DC-DC 变换。
电机驱动直流电机与步进电机驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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