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2SK3681 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压 V_DSS：600V（Min）
漏极电流 I_D：43A @ T_C=25℃
静态导通电阻 R_DS(on)：≤0.16Ω（Max）@ V_GS=10V
总耗散功率 P_D：600W @ T_C=25℃
非重复最大雪崩能量 E_AS：900mJ
100% 雪崩测试
封装：TO-3P（G-D-S 引脚）

2SK3681 是一款 600V/43A N 沟道功率 MOSFET，TO-3P 封装，导通电阻低至 0.16Ω、雪崩能量 900mJ，100% 雪崩测试，适合电机驱动、DC-DC 变换器、功率开关与电磁阀驱动等大电流开关场合，为 Fuji Electric 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (Ω)	P_D (W)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-3P	600	43	≤0.16	600	2.0 ~ 4.0	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	600	V
V_GSS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续，T_C=25℃）	43	A
P_D	总耗散功率（T_C=25℃）	600	W
E_AS	非重复最大雪崩能量	900	mJ
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(ch-c)	沟道到壳热阻	0.208	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
BV_DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=0.25mA	600	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=0.25mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=10V；I_D=26A	--	0.16	Ω
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
I_DSS	漏源漏电流	V_DS=600V；V_GS=0V；T_C=25℃	--	25	μA
V_SD	二极管正向压降	I_F=43A；V_GS=0V	--	1.5	V

应用

电机驱动直流电机与功率电机驱动（Motor drive）。
DC-DC 变换器大电流 DC-DC 变换器功率级。
功率开关开关电源与高速功率开关。
电磁阀驱动电磁阀、继电器等感性负载驱动（Solenoid drive）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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