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2SK2632LS 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压 V_DSS：800V（Min）
漏极电流 I_D：2.5A @ T_C=25℃
导通电阻 R_DS(on)：4.8Ω（Max）@ V_GS=15V，I_D=1.3A
栅极阈值电压 V_GS(th)：3.5 ~ 5.5V
耗散功率 P_D：25W @ T_C=25℃
封装：TO-220F（绝缘型，1 栅极 / 2 漏极 / 3 源极）

2SK2632LS 是一款 800V/2.5A 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220F 绝缘封装，耐压高、驱动简单，适用于电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关与电磁阀驱动等场合，为三洋（SANYO）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	I_D (A)	R_DS(on) (Ω)	P_D (W)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)
TO-220F	800	2.5	≤4.8	25	3.5 ~ 5.5	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	800	V
V_GS	栅源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	2.5	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	7.5	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_j	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0；I_D=1mA	800	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=800V；V_GS=0	--	1	mA
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=1mA	3.5	5.5	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=15V；I_D=1.3A	--	4.8	Ω
V_SD	正向导通电压（体二极管）	I_S=2.5A；V_GS=0	--	1.2	V

应用

电机驱动小型电机与步进电机驱动（Motor drive）。
DC-DC 转换器高压输入的 DC-DC 变换与开关电源。
电源开关交流/直流回路的功率开关（Power switch）。
电磁阀驱动电磁阀、继电器线圈驱动（Solenoid drive）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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