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2SK2485 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏-源击穿电压（V_(BR)DSS）：900V（Min）
漏极电流（I_D）：6A @ T_C=25℃
低导通电阻：R_DS(on)=2.8Ω（Max）@ V_GS=10V
栅-源电压（V_GS）：±30V
总耗散功率（P_D）：100W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.25℃/W
封装：TO-3P

2SK2485 是一款 N 沟道高压功率 MOSFET，具有 900V 耐压与低导通电阻，适用于电机驱动、DC-DC 转换器、功率开关与电磁阀驱动等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	P_D (W)	Structure
TO-3P	Single-N	900	±30	6.0	12	2800	2.5~3.5	100	Silicon N-Ch

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	900	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	6.0	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	12	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0；I_D=1mA	900	--	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=900V；V_GS=0V	--	--	100	µA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=1mA	2.5	--	3.5	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=3.0A	--	--	2.8	Ω
V_SD	正向导通电压	I_S=6.0A；V_GS=0V	--	1.0	--	V

应用

电机驱动与电磁阀驱动电机驱动（Motor drive）、功率开关与电磁阀驱动（Solenoid drive）。
DC-DC 转换器DC-DC 转换器（DC-DC converter）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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