2SK2313 国产替代N-Channel Power MOSFETAEC-Q101 车规认证

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

车规认证：通过 AEC-Q101 车规级可靠性认证
类型：N 沟道功率 MOSFET（100% 雪崩测试）
产品特性：快速开关速度（Fast Switching Speed）
漏-源电压（V_DSS）：60V（Min）
栅-源电压（V_GS）：±20V
连续漏极电流（I_D）：60A @ T_C=25℃；单脉冲 I_DP：240A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：11mΩ（Max）@ V_GS=10V，I_D=30A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：0.8 ~ 2.0V
单脉冲雪崩能量（E_AS）：1054mJ
总耗散功率（P_tot）：150W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：0.833℃/W
封装：TO-3PN

2SK2313 是一款 N 沟道功率 MOSFET，通过 AEC-Q101 车规级可靠性认证，具有低导通电阻、大电流、快速开关速度与高单脉冲雪崩能量耐受能力，经 100% 雪崩测试，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、大电流开关、DC-DC 变换器与电机驱动等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds(on)	Rth(j-c)	PD (W)	Technology
TO-3PN	Single-N	60	±20	0.8~2.0	60	11 (mΩ)	0.833 (℃/W)	150	N-Ch Enhancement Mode

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压（V_GS=0）	60	V
V_GS	栅-源电压	±20	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	60	A
I_DP	漏极电流（单脉冲）	240	A
P_tot	总耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
E_AS	单脉冲雪崩能量	1054	mJ
T_j	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.833	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=10mA	60	--	V
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V，I_D=1mA	0.8	2.0	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=60V，V_GS=0V	--	100	µA
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±16V，V_DS=0V	--	±10	µA
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V，I_D=30A	--	11	mΩ
V_SD	体二极管正向导通压降	I_SD=60A，V_GS=0V	--	1.7	V

应用

开关电源（SMPS）开关模式电源功率级。
不间断电源（UPS）UPS 功率变换。
大电流开关高电流开关应用。
DC-DC 变换器与电机驱动DC-DC 变换与电机驱动电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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