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2SK2225 国产替代N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

类型：N 沟道高压功率 MOSFET（无二次击穿）
漏-源电压（V_DSS）：1500V（Min）
栅-源电压（V_GS）：±20V
连续漏极电流（I_D）：2A @ T_C=25℃；单脉冲 I_DP：8A
静态漏-源导通电阻（R_DS(on)）：12Ω（Max）@ V_GS=15V，I_D=1A
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V；低栅极驱动电流
总耗散功率（P_D）：50W @ T_C=25℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.5℃/W；高速功率开关
封装：TO-3PML

2SK2225 是一款 N 沟道高压功率 MOSFET，具有 1500V 高击穿电压与高速开关特性，无二次击穿现象，低栅极驱动电流，适用于开关稳压器、DC-DC 变换器、电机驱动与功率开关等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	VDS (V)	VGS (±V)	Vth (V)	ID (A)	Rds(on)	Rth(j-c)	PD (W)	Technology
TO-3PML	Single-N	1500	±20	2.0~4.0	2	12 (Ω)	2.5 (℃/W)	50	High-Voltage MOSFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	1500	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	2	A
I_DP	漏极电流（单脉冲）	8	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V，I_D=10mA	1500	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=1200V，V_GS=0V	--	500	µA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V，V_DS=0V	--	±1	µA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS，I_D=1mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=15V，I_D=1A	--	12	Ω
V_SD	体二极管正向导通压降	I_S=2A，V_GS=0V	--	1.2	V

应用

高速功率开关高速功率开关电路。
开关稳压器开关稳压器功率级。
DC-DC 变换器DC-DC 变换电路。
电机驱动电机驱动与控制电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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