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2SK2136 国产替代Silicon N-Channel Power MOSFET

Silicon N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏-源电压（V_DSS）：200V
栅-源电压（V_GS）：±30V
漏极电流（I_D）：20A（连续）@ T_C=25℃，脉冲 80A
耗散功率（P_D）：75W @ T_C=25℃
导通电阻（R_DS(on)）：0.18Ω（Max）@ V_GS=10V
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
封装：TO-220C

2SK2136 是一款 200V / 20A / 75W 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220C 封装，导通电阻低、开关速度快，适用于电机驱动、DC-DC 变换器与电源开关。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	T_J (℃)	Structure
TO-220C	Single-N	200	±30	20	75	0.18	2.0 ~ 4.0	150	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	200	V
V_GSS	栅-源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）@ T_C=25℃	20	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	80	A
P_D	耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
T_J	最大工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.67	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=1mA	200	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=200V；V_GS=0V	--	100	µA
I_GSS	栅-体泄漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=1mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=10A	--	0.18	Ω
V_SD	正向导通电压	I_S=20A；V_GS=0V	--	1.5	V

应用

电机驱动直流电机、步进电机的 PWM 驱动。
DC-DC 变换器200V 段开关电源与变换器。
电源开关高压侧与低压侧的功率通断。
电磁阀驱动电磁阀、执行器的大电流驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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