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2SK2008 国产替代Silicon N-Channel MOSFET

Silicon N-Channel MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：250V
栅源电压（V_GS）：±30V
漏极电流（I_D）：20A @ T_C=25℃
漏极脉冲电流（I_DP）：80A
漏源导通电阻（R_DS(on)）：0.15Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=10A
总耗散功率（P_D）：60W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0V
封装：TO-3PFM

2SK2008 是一款 250V / 20A 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-3PFM 封装，导通电阻低、开关速度快、驱动电流小且无二次击穿，适用于开关稳压器、DC-DC 变换器与电机控制。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DP (A)	P_D (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-3PFM	250	±30	20	80	60	0.15	2.0 ~ 4.0	Silicon N-Channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	250	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	20	A
I_DP	漏极电流（单脉冲）	80	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0V；I_D=10mA	250	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=200V；V_GS=0V	--	250	µA
I_GSS	栅-源漏电流	V_GS=±25V；V_DS=0V	--	±10	µA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=10V；I_D=1mA	2.0	4.0	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=10A	--	0.15	Ω
V_SD	二极管正向压降	I_S=20A；V_GS=0V	--	1.5	V

应用

开关稳压器开关电源主开关管。
DC-DC 变换器升降压变换器的功率开关。
电机驱动电机调速与驱动电路。
通用功率开关各类高频功率开关场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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