Silicon N-Channel MOSFET ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
2SK1518（-E）是一款硅 N 沟道功率 MOSFET，具有 500V/20A 的电压电流能力与 270mΩ 的低导通电阻，开关速度快、驱动电流小，适用于高速功率开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | IDM (A) | PD (W) | RDS(on) | VGS(th) (V) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-3P | 500 | ±30 | 20 | -- | 120 | 270 mΩ | 2.0 ~ 4.0 | Silicon N-channel |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏源电压 | 500 | V |
| VGS | 栅源电压（连续） | ±30 | V |
| ID | 漏极电流（连续） | 20 | A |
| PD | 总耗散功率 | 120 | W |
| TJ | 最高工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 1.04 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V；ID=1mA | 500 | -- | V |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS；ID=250µA | 2.0 | 4.0 | V |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=10V；ID=10A | -- | 270 | mΩ |
| IGSS | 栅极-体漏电流 | VGS=±25V；VDS=0V | -- | ±10 | µA |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | VDS=400V；VGS=0V | -- | 250 | µA |
| VSD | 二极管正向电压 | IS=20A；VGS=0V | -- | 1.0 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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