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2SK1450N-Channel Power MOSFET

N-Channel Power MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源击穿电压（V_DSS）：450V
漏极电流（I_D）：20A（脉冲 80A）
低导通电阻：R_DS(on)=0.24Ω（typ）/ 0.3Ω（Max）@ V_GS=10V，I_D=10A
漏极耗散功率（P_tot）：150W @ T_C=25℃
栅极阈值电压（V_GS(off)）：2.0 ~ 3.0V
超高速开关，适合高压高频变换
封装：TO-3PB

2SK1450 是一款硅 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-3PB 封装，具有 450V/20A 的电压电流能力与 0.24Ω 的低导通电阻，开关速度快、驱动功率小，适用于离线式开关电源、UPS、交直流电机控制及继电器与电磁阀驱动等高压高速场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DP (A)	P_tot (W)	R_DS(on) (Ω)	V_GS(off) (V)	T_j (℃)
TO-3PB	N-Channel	450	±30	20	80	150	0.3	2.0 ~ 3.0	150

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压（V_GS=0）	450	V
V_GS	栅源电压	±30	V
I_D	漏极电流（连续） @ T_C=25℃	20	A
P_tot	漏极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	I_D=1mA；V_GS=0	450	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=450V；V_GS=0	--	1.0	mA
I_GSS	栅源漏电流	V_GS=±30V；V_DS=0	--	±100	nA
V_GS(off)	栅极截止电压	V_DS=10V；I_D=1mA	2.0	3.0	V
\|y_fs\|	正向转移导纳	V_DS=10V；I_D=10A	7.5	15	S
R_DS(on)	漏源导通电阻	I_D=10A；V_GS=10V	--	0.3	Ω
V_SD	体二极管正向压降	I_S=20A；V_GS=0	--	1.8	V

应用

开关电源离线式开关电源（Off-line switching power supplies）应用。
UPS 不间断电源UPS 不间断电源应用。
电机控制交直流电机控制（AC and DC motor controls）应用。
继电器 / 电磁阀驱动继电器与电磁阀驱动（Relay and solenoid drivers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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