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2SK1359 国产替代N-Channel MOSFET Transistor

N-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏-源击穿电压（V_(BR)DSS）：1000V（Min）
漏极电流（I_D）：5A @ T_C=25℃
静态导通电阻：R_DS(on)=3.8Ω（Max）@ V_GS=10V
栅-源电压（V_GS）：±30V
低漏电流：I_DSS=300µA（Max）@ V_DS=800V
总耗散功率（P_D）：125W @ T_C=25℃
封装：TO-3P

2SK1359 是一款 N 沟道功率 MOSFET，具有 1000V 高耐压与低导通电阻，适用于 DC-DC 转换器与电机驱动等高压功率应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	R_DS(on) (mΩ)	V_GS(th) (V)	P_D (W)	Structure
TO-3P	Single-N	1000	±30	5	15	3800	1.5~3.5	125	Silicon N-Ch

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏-源电压	1000	V
V_GS	栅-源电压（连续）	±30	V
I_D	漏极电流（连续）	5	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	15	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	125	W
T_J	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏-源击穿电压	V_GS=0；I_D=10mA	1000	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=800V；V_GS=0V	--	300	µA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±25V；V_DS=0V	--	±100	nA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=1mA	1.5	3.5	V
R_DS(on)	漏-源导通电阻	V_GS=10V；I_D=2A	--	3.8	Ω
V_SD	正向导通电压	I_S=4A；V_GS=0V	--	1.9	V

应用

DC-DC 转换器DC-DC 转换器（DC-DC converter）应用。
电机驱动与电磁阀驱动电机驱动（Motor drive）、功率开关与电磁阀驱动（Solenoid drive）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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