Silicon N-Channel Power MOSFET ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
2SK1020 是一款 500V / 30A / 300W 的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-3PL 封装，导通电阻低、开关速度快、无二次击穿，适用于开关电源、逆变器、DC-DC 变换器与通用功率放大。
| Package | Configuration | VDSS (V) | VGS (V) | ID (A) | PD (W) | RDS(on) (Ω) | VGS(th) (V) | TJ (℃) | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-3PL | Single-N | 500 | ±30 | 30 | 300 | 0.25 | 2.0 ~ 5.0 | 150 | Silicon N-Channel |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 漏-源电压 | 500 | V |
| VGSS | 栅-源电压（连续） | ±30 | V |
| ID | 漏极电流（连续）@ TC=25℃ | 30 | A |
| IDM | 漏极电流（脉冲） | 92 | A |
| PD | 耗散功率 @ TC=25℃ | 300 | W |
| TJ | 最大工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j-c) | 结-壳热阻 | 0.416 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)DSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V；ID=1mA | 500 | -- | V |
| RDS(on) | 漏-源导通电阻 | VGS=10V；ID=15A | -- | 0.25 | Ω |
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=10V；ID=1mA | 2.0 | 5.0 | V |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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