2SJ216 国产替代Silicon P-Channel MOSFET

Silicon P-Channel MOSFET ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

TO-3PFM 封装
漏源电压（V_DSS）：-60V
漏极电流（I_D）：-35A @ T_C=25℃（单脉冲 -140A）
导通电阻：R_DS(on)≤60mΩ @ V_GS=-10V，I_D=-18A
低栅极驱动电流，可由 5V 源直接驱动（-4V 栅压时 R_DS(on)≤90mΩ）
总耗散功率（P_D）：50W @ T_C=25℃
开关速度快，适用于高频功率切换
结-壳热阻（R_{th j-c}）：2.5℃/W

2SJ216 是一款硅 P 沟道功率 MOSFET，采用 TO-3PFM 封装，具有 -60V/-35A 的电压电流能力与 60mΩ 的低导通电阻，栅极驱动电流小、可由 5V 源直接驱动，开关速度快，适用于电机驱动、DC-DC 变换器、功率开关与电磁阀驱动等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_DSS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	I_DM (A)	P_D (W)	R_DS(on)	V_GS(th) (V)	Structure
TO-3PFM	-60	±20	-35	-140	50	60 mΩ	-2.0 ~ -1.0	Silicon P-channel

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	-60	V
V_GSS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	-35	A
I_DM	漏极电流（单脉冲）	-140	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	50	W
T_j	最高工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=-10mA	-60	--	V
I_DSS	零栅压漏电流	V_DS=-50V；V_GS=0V	--	-250	µA
I_GSS	栅体漏电流	V_GS=±16V；V_DS=0V	--	±10	µA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=V_GS；I_D=-1.0mA	-1.0	-2.0	V
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=-10V；I_D=-18A	--	60	mΩ
R_DS(on)	漏源导通电阻	V_GS=-4V；I_D=-18A	--	90	mΩ
V_SD	体二极管正向压降	I_S=-35A；V_GS=0V	--	-1.3	V

应用

电机驱动电机驱动（Motor drive）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）应用。
功率开关与电磁阀驱动功率开关与电磁阀驱动（Power switch / Solenoid drive）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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