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2SJ201 国产替代P-Channel MOSFET Transistor

P-Channel MOSFET Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

漏源电压（V_DSS）：-200V
漏极电流（I_D）：-12A @ T_C=25℃
栅源电压（V_GS）：±20V
漏源饱和电压：V_DS(on)=-5.0V（Max）@ V_GS=-10V，I_D=-8A
耗散功率（P_D）：150W @ T_C=25℃
高耐压、高正向跨导
与 2SK1530（N 沟道）互补配对
封装：TO-3PL（G-D-S）

2SJ201 是一款 -200V / -12A P 沟道 MOS 型场效应管，采用 TO-3PL 封装，具有高耐压与高正向跨导特性，与 N 沟道的 2SK1530 构成互补对管，是音频功率放大器输出级的经典器件，也适用于开关电源、UPS 等高压功率放大与开关场合。

参数

核心参数表

Package	Channel	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D (W)	V_DS(on) (V)	V_GS(th) (V)	T_j (℃)	Structure
TO-3PL	P	-200	-12	150	-5.0	-0.8~-2.8	150	Silicon P-MOSFET

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DSS	漏源电压	-200	V
V_GS	栅源电压（连续）	±20	V
I_D	漏极电流（连续）	-12	A
P_D	总耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_j	最大工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.83	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)DSS	漏源击穿电压	V_GS=0V；I_D=-10mA	-200	--	V
I_DSS	零栅压漏极电流	V_DS=-200V；V_GS=0V	--	-1.0	mA
I_GSS	栅-体漏电流	V_GS=±20V；V_DS=0V	--	±0.5	μA
V_GS(th)	栅极阈值电压	V_DS=-10V；I_D=-0.1A	-0.8	-2.8	V
V_DS(on)	漏源饱和电压	V_GS=-10V；I_D=-8A	--	-5.0	V
V_SD	二极管正向电压	I_S=-6A；V_GS=0V	--	-1.6	V

应用

音频功率放大器Hi-Fi 功放输出级，与 2SK1530 互补推挽。
高压功率放大高耐压线性放大与推动级。
开关电源高压侧开关与功率控制。
UPS 与逆变不间断电源、逆变器的功率级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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