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2SD798 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：600V
集电极-发射极电压（V_CEO）：300V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：6A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=4A
高直流电流增益（h_FE）：1500（Min）@ I_C=2A
封装：TO-220C

2SD798 是一款 300V / 6A / 30W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-220C 封装，耐压高、驱动电流极小，适用于高压开关、点火器与脉冲功率放大电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220C	Single-N	600	300	5	6	30	2.0	1500 ~ 20000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	600	V
V_CEO	集电极-发射极电压	300	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	6	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA	300	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=40mA	--	2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=40mA	--	2.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=600V；I_E=0	--	0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	0.5	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=2V	1500	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=2V	200	--	--

应用

点火器驱动汽车与工业点火线圈的高压开关。
高压开关数百伏母线的通断控制。
脉冲功率放大高压脉冲负载驱动。
继电器替代高压小电流场合的固态开关。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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