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2P4M 国产替代Silicon Controlled Rectifier (Thyristor)

Silicon Controlled Rectifier (Thyristor) ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

重复峰值断态/反向电压（V_DRM/V_RRM）：400V
通态电流（I_T(AV)）：4A（180°导通角）
非重复浪涌峰值通态电流（I_TSM）：20A
高灵敏触发，门极触发电流低
通态电压（V_TM）：1.8V（Max）@ I_TM=4A
封装：TO-202

2P4M 是一款塑封单向可控硅（晶闸管），具有 400V 耐压与高灵敏触发特性，适用于电容放电点火、厨房电器电机控制及低压电源过压保护等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_DRM/V_RRM (V)	I_T(AV) (A)	I_TSM (A)	V_GT (V)	I_GT (mA)	V_TM (V)	T_VJ (℃)	Structure
TO-202	Single SCR	400	4	20	0.8	0.2	1.8	125	Silicon SCR

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_DRM	重复峰值断态电压（R_GK=1kΩ）	400	V
V_RRM	重复峰值反向电压（R_GK=1kΩ）	400	V
I_T(AV)	通态电流（180°导通角）	4	A
I_TSM	非重复浪涌峰值通态电流（t=20ms）	20	A
P_G(AV)	平均门极功耗（T_j=125℃）	0.2	W
T_j	结温	125	℃
T_stg	存储温度	-40 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
I_RRM	重复峰值反向电流	V_RM=V_RRM；R_GK=1kΩ	--	10	µA
I_RRM	重复峰值反向电流	V_RM=V_RRM；R_GK=1kΩ；T_j=125℃	--	500	µA
I_DRM	重复峰值断态电流	V_DM=V_DRM；R_GK=1kΩ	--	10	µA
I_DRM	重复峰值断态电流	V_DM=V_DRM；R_GK=1kΩ；T_j=125℃	--	500	µA
V_TM	通态电压	I_TM=4A	--	1.8	V
I_GT	门极触发电流	V_DM=12V；R_L=140Ω	--	200	µA
V_GT	门极触发电压	V_DM=12V；R_L=140Ω	--	0.8	V

应用

电容放电点火电容放电点火（Capacitive discharge ignition）应用。
电机控制厨房电器电机控制（Motor control in kitchen aids）。
过压保护低压电源过压钳位保护（Overvoltage crowbar protection）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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